AllegroMedia.jpg Transphorm的SuperGaNFET可用于各种拓扑结构,并能够提供多种封装形式,支持广泛的功率级,满足不同终端市...
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Transphorm 的 SuperGaNFET可用于各种拓扑结构,并能够提供多种封装形式,支持广泛的功率级,满足不同终端市场应用要求。SuperGaN FET已应用于各种商业产品,并在高功率系统中显著提升可靠性、功率密度和效率。Allegro的自供电型单通道隔离式栅极驱动IC,在多种应用和电路中专为驱动氮化镓场效应晶体管进行了优化。经验证,与友商同类栅极驱动器相比,AHV85110驱动效率提高了50%。与市场上其它解决方案相比,这款独特的解决方案大大简化了系统设计,将电路干扰降低10倍,共模电容减小了15倍。Transphorm 全球销售和现场应用副总裁 Tushar Dhayagude 表示:“Allegro 的 AHV85110 高压栅极驱动提供高度紧凑和高效的电源应用方案,仅需为Transphorm功率器件配置最少的外部电路组件和偏置电源,因此将占板面积减小约30%,加上SuperGaN极高的可靠性和优于同类竞争技术的出色动态开关性能,最终将为服务器、数据中心、可再生能源和电动汽车等关键应用提供更高效、更稳健和功率密度更高的解决方案。”Allegro MicroSystems 高压电源业务部副总裁兼总经理 Vijay Mangtani 表示:“我们很高兴能与 Transphorm 开展合作,帮助Allegro更好地为客户优化基于氮化镓的系统开发和设计。我们期待能够将Allegro的高压隔离式栅极驱动器 AHV85110 与 Transphorm 的 SuperGaN 场效应晶体管结合,从而以更小的尺寸实现更高的功率密度、更高的效率以及更高的功率输出,为Allegro 和Transphorm的客户带来价值。”感兴趣的用户可使用Allegro的APEK85110KNH-06-T评估板测试Transphorm和Allegro的这一合作解决方案。该评估板集成了适用于不同应用的AHV85110驱动以及Transphorm近期发布的三款TOLL封装器件,这三款Transphorm器件的导通电阻分别为 35、50 和 72 毫欧。
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